El forn de difusió que podria realitzar el procés d’oxidació està compost per un marc del forn, un escalfador, un dispositiu de control de calefacció, un dispositiu de mesura de temperatura, un tub de forn de quars, una safata portadora de push-pull, algun camí de gas i un dispositiu de tractament de gasos d’escapament. Els requisits de control de la temperatura d’aquest tipus de forns de difusió són els següents:
|
Interval de calefacció |
Ambient -1100 grau |
Precisió de control |
± 2 graus |
|
Velocitat de calefacció màxima |
15 graus /min |
Uniformitat temporal |
± 0. 5 graus /760mm |
|
Velocitat de refrigeració màxima |
5 graus /min |
Estabilitat |
± 0. 5 graus /24h |
El forn de difusió d’oxidació generalment utilitza termoparells dins i fora del forn per controlar la temperatura dinàmica. Cada zona de temperatura està equipada amb una de dins i una termopar exterior per assegurar la fiabilitat del control de la temperatura. El termopar semiconductor del tipus S (pràctica comuna utilitza termopar de diversos punts que té 3-9 diferents taques per agafar la informació de temperatura) sovint és escollida per ser la termopar interior que s'utilitza per intuir directament la temperatura de la hòstia de silici i es pot traduir en una pantalla de temperatura precisa de les depieres.
Descripció dels productes
L’instrument Duchin va desenvolupar tipus d’estructures per a termopar múltiples punts, equips de calibració de termopar múltiples per a experiments, un tipus d’estructura en fred formuli Thermoumope, un tipus d’estructura d’envasament terminals per a termocous de diversos punts, tipus de protecció composit de la temperatura del forn de difusió. Els paràmetres tècnics del tipus semiconductor del tipus S especialitzats per a equips fotovoltaics són els següents:
|
Paràmetres tècnics |
Termocopa interna |
|
Tipus |
S,R |
|
Diàmetre de filferro o mims |
φ0.35~0.5 |
|
Temp (grau) de treball (grau) |
0~1100 |
|
Precisió (grau) |
±1.0 |
|
Longitud de tub de protecció (mm) |
Menys o igual a 4.000 |
|
Diàmetre de protecció del tub (mm) |
φ12~18 |
|
Material de tub de protecció |
Quars |
|
Estructura final calenta |
Exposat |
|
Nombre de punts |
3 ~ 6 punts |
|
Acabament |
Connector petit |
|
Cable de compensació |
Sc {{0}} × 0.5fpf |
|
Característiques de l'estructura |
Muntar T/C en combinació per a cada punt és força difícil |
Detalls del producte


Els nostres clients

Informació sobre la nostra empresa








Informes sobre la nostra producció

Soldadura manual

Soldadura automàtica

Prova d’aïllament

Marcatge làser

Gestió de magatzems

Muntar termopar

Detecció de fuites al buit

Polit superficial
Certificacions de qualitat








Etiquetes populars: S Type Semiconductor Thermopar, Xina S Type Semiconductor Thermopare Fabricants, fàbrica

