Termocopa del perfil de semiconductors

Tipus: s, r
Diàmetre Wire o MIMS: φ {{0}}. 35 ~ 0,5
Temp (grau): 0 ~ 1100
Nombre de punts: 3 ~ 6 punts
Aplicació: Control de temperatura per al procés de fabricació de cèl·lules fotovoltaiques (PV).

Aplicació

El forn de difusió d’oxidació és un equip de procés clau per a la producció de cèl·lules fotovoltaiques. Barreja i difon quantitats de trases de bor, fòsfor i altres elements de la gorra de silici a temperatures altes per preparar unions PN i componen circuits integrats. També es pot utilitzar per preparar pel·lícules SiOx a la superfície de la hòstia de silici per protegir les hòsties. És freqüent utilitzar termoparells que mesuren tant les parts interiors com les exteriors del forn per controlar la temperatura interior del forn de difusió que podria realitzar el procés d’oxidació. Cada zona de temperatura especificada té un termopar exterior i interior per assegurar -se que els resultats de la mesura són fiables. Els termoparells de quars nobles multipoints s’utilitzen per mesurar la temperatura de l’hòstia, normalment té 3 ~ 9 punts de mesura, que representen la temperatura de l’hòstia amb precisió.

Descripció dels productes

Amb aquesta finalitat, Duchin ha desenvolupat tècniques i productes de propietat propietària com el termopar de quars de metall noble multipoint per a la mesura de la temperatura de tota la secció del forn de difusió, un dispositiu de calibració per a termopar multifunció.

El producte té alguns trets de mesura de temperatura fiable, alta precisió, bona estabilitat, resposta tèrmica ràpida, anti-interferència, resistència a l’impacte d’alta i baixa temperatura, llarga vida útil, etc. Els paràmetres tècnics del termopar del perfil de semiconductors són els següents:

Paràmetres tècnics	Termocopa del perfil de semiconductors
Tipus	S,R
Diàmetre de filferro o mims	φ0.35~0.5
Temp (grau) de treball (grau)	0~1100
Precisió (grau)	±1.0
Longitud de tub de protecció (mm)	Menys o igual a 4.000
Diàmetre de protecció del tub (mm)	φ12~18
Material de tub de protecció	Quars
Estructura final calenta	Exposat
Nombre de punts	3 ~ 6 punts
Acabament	Connector petit
Cable de compensació	Sc {{0}} × 0.5fpf
Característiques de l'estructura	Muntar T/C en combinació per a cada punt és força difícil